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CEB84A4	文件：398.59 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■40V,90A,RDS(ON)=5.1mW@VGS=10V. RDS(ON)=7.8mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED84A4	文件：413.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■40V,80A,RDS(ON)=5.1mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=7.8mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED84A4A	文件：436.51 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,85A,RDS(ON)=4.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.4mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP84A4	文件：1.71893 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEP84A4	文件：398.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■40V,90A,RDS(ON)=5.1mW@VGS=10V. RDS(ON)=7.8mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU84A4	文件：413.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■40V,80A,RDS(ON)=5.1mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=7.8mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU84A4	文件：1.45549 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU84A4A	文件：436.51 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,85A,RDS(ON)=4.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.4mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

详细参数

型号：
CEB84A4
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEB84A4	SR	23+	T0-263	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEB84A4	CET/華瑞	2022+	TO-263	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEB84A4	CET/華瑞	2022+	TO-263	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	CEB85A3	CET	24+	TO-263	90000	进口原装现货假一罚十价格合理	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEB85A3	SAMSUNG/三星	23+	TO-252	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CEB85A3	CET/華瑞	23+	TO-263	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CEB85A3	CET	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CEB85A3	CET/華瑞	20+	TO-263	1239	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	CEB85A3	CET	25+	TO-263	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市中福国际管理有限公司	CEB85A3	CET/華瑞	23+	TO-263	360000	交期准时服务周到	询价

更多CEB84A4供应商更新时间2025-5-15 15:36:00

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