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CEB6030LS2	文件：530.47 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●30V,52A,RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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CEB6030LS2

文件：530.47 Kbytes

Page：5 Pages

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ●30V,52A,RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-220&TO-263package

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

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N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●30V,52A,RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-220&TO-263package

CETChino-Excel Technology

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详细参数

型号：
CEB6030LS2
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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