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CEB6060L	文件：544.55 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,52.4A,RDS(ON)=21mW@VGS=10V. RDS(ON)=25mW@VGS=5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB6060L	文件：516.75 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=25mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6060L	文件：405.18 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6060LR	文件：534.57 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●60V,60A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=25mΩ@VGS=5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6060N	文件：426.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,42A,RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6060N	文件：624.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,42A,RDS(ON)=25mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB6060R	文件：527.84 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6060R	文件：81.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED6060L	文件：785.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,48A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=29mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED6060N	文件：425.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,34A,RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

详细参数

型号：
CEB6060L
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	CEB6060L	CET/華瑞	25+	sop-8	156672	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEB6060L	CET	24+	TO-263	13550		询价
深圳市鹏和科技有限公司	CEB6060L	CET	24+	TO-263	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	CEB6060L	CET	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	CEB6060L	CET	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
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更多CEB6060L供应商更新时间2025-6-6 15:40:00

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