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CEB68N10L	文件：935.98 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 69A, RDS(ON) = 9.8mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 13mW @V GS = 4.5V. 文件：935.98 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP68N10L	文件：935.98 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 69A, RDS(ON) = 9.8mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 13mW @V GS = 4.5V. 文件：935.98 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
GLU68N10	文件：135.45 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOIL SMT INDUCTORS 文件：135.45 Kbytes 页数：12 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
GLX68N10	文件：135.45 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOIL SMT INDUCTORS 文件：135.45 Kbytes 页数：12 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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