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CEB6185	文件：823.08 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -40A, RDS(ON) = 19mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 25mW @VGS = -4.5V. 文件：823.08 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEB6185	文件：300 bytes Page：1 Pages	P Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CED6185	文件：793.66 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -36A, RDS(ON) = 20mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 26mW @VGS = -4.5V. RoHS compliant. 文件：793.66 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP6185	文件：823.08 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -40A, RDS(ON) = 19mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 25mW @VGS = -4.5V. 文件：823.08 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEU6185	文件：793.66 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -36A, RDS(ON) = 20mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 26mW @VGS = -4.5V. RoHS compliant. 文件：793.66 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

技术参数

BVDSS(V)：
-60/
Rds(on)mΩ@10V：
19/
Rds(on)mΩ@4.5V：
25/
ID(A)：
-40/
Qg(nC)@4.5V(typ)：
38/
RθJC(℃/W)：
2.1
Pd(W)：
60
Configuration：
Single
Polarity：
P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	CEB6185	NK/南科功率	2025+	TO-263	986966	国产	询价
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更多CEB6185供应商更新时间2025-10-6 14:01:00

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