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CEB6405	文件：950.88 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-22A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED6405	文件：702.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-20A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6405	文件：782.97 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-5.7A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. RDS(ON)=68mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP6405	文件：950.88 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-22A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU6405	文件：702.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-20A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEZ6405	文件：785.15 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-21A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEZC6405	文件：1.0221 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-17A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=65mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CPH6405	文件：39.46 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EN6405F	文件：631.31 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)1A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleCPH3 BipolarTransistor (–)50V,(–)1A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleCPH3 Features •AdoptionofMBITprocesses •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
GTT6405	文件：317.35 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTT6405usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellenton-resistancewithlowgatechange. ThedeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. Features LowerGateCharge RoHSCompliant *SmallFootprint&LowProfilePackage	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中福国际管理有限公司	CEB6405	CET/華瑞	23+	TO-263	360000	交期准时服务周到	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEB6426	SR	23+	T0-263	5000	原装正品,假一罚十	询价
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深圳市宇集芯电子有限公司	CEB655N	CET	24+	TO-263	90000	进口原装现货假一罚十价格合理	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEB655N	FAGOR	23+	INSULATEDTO-220AB	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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