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CEB6056L	文件：653.29 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,100A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=9.0mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED6056	文件：356.33 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,76A,RDS(ON)=6.2mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED6056	文件：468.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,76A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED6056L	文件：647.37 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,78A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=9.0mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6056	文件：423.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM6056	文件：497.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,15A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6056L	文件：653.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,14.5A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=10mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP6056	文件：401.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,100A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP6056	文件：473.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,100A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP6056L	文件：653.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,100A,RDS(ON)=6.2mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=9.0mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中福国际管理有限公司	CEB6056L	CET/華瑞	23+	TO-263	360000	交期准时服务周到	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEB6056低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	T0-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市宏兴瑞科技有限公司	CEB6056低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	24+	T0-263	60000		询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEB605AL	CET/華瑞	23+	TO265	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CEB605AL	CET/華瑞	23+	TO265	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEB6060	CET	24+	TO-263	1335		询价
深圳市鹏和科技有限公司	CEB6060	CET	24+	TO-263	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市仟禧电子有限公司	CEB6060	CET/華瑞	22+	TO-263	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	CEB6060	CET	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CEB6060	CET/華瑞	23+	TO-263	13550	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

更多CEB6056L供应商更新时间2025-5-18 10:34:00

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