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IRGP30B60KD	文件：303.2 Kbytes Page：2 Pages	NPTIGBT DESCRIPTION ·LowDiodeVF ·10μsShortCircuitCapability ·UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics APPLICATIONS ·LowEMI ·RuggedTransientPerformance ·BenchmarkEfficiencyforMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRGP30B60KD-E	文件：603.76 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •TO-247ADPackage Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl	IRF International Rectifier	IRF
IRGP30B60KD-EP	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •TO-247ADPackage •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfor	IRF International Rectifier	IRF
IRGP30B60KD-EPBF	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGS30B60	文件：328.22 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRF International Rectifier	IRF
IRGS30B60K	文件：323.09 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology •10µsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl •RuggedTransientPerformance	IRF International Rectifier	IRF
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产品属性

产品编号：
AOK30B60D
制造商：
Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Alpha IGBT™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，30A
开关能量：
1.18mJ（开），200µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/71ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 600V 60A 208W TO247

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