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AOK42S60	文件：275.08 Kbytes Page：6 Pages	600V 39A a MOS Power Transistor General Description The AOK42S60 has been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability this device can be 文件：275.08 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK42S60	文件：338.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 39A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 99mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：338.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOK42S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 39A a MOS Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOK42S60L	文件：612.32 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET FEATURES · Drain Current -ID= 47A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.099Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC) 文件：612.32 Kbytes 页数：5 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOK42S60L	文件：507.41 Kbytes Page：6 Pages	600V 39A a MOS General Description The AOK42S60 has been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability this device can be 文件：507.41 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK42S60L	文件：406.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications • FEATURES • Drain Current –ID= 39A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 99mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum 文件：406.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOK42S60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 39A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO247-3L
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
39
PD @ 25°C (W)：
417
10V：
900
Qg (4.5V)(nC)：
40
VGS(th) max (V)：
3.80
Ciss (pF)：
2154
Coss (pF)：
135
Crss (pF)：
2.70
Qgd (nC)：
11.90
Trr (ns)：
473
Qrr (nC)：
10.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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