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AOL1426	文件：126.47 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1426 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is suitable for use as a high side switch in SMPS and general purpose applications. Standard Product AOL1426 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOL1426L is 文件：126.47 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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AOL1426	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOL1426L	文件：126.47 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1426 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is suitable for use as a high side switch in SMPS and general purpose applications. Standard Product AOL1426 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOL1426L is 文件：126.47 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1426_08	文件：236.79 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：236.79 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Last Time Buy
Recommended Replacement：
AON6380
Package：
UltraSO-8
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
12
Id(A)(25℃)：
46
Id(A)(75℃)：
33
Pd(W)(25℃)：
43
Pd(W)(75℃)：
21
Rds (on) mΩ max(20V)：
0
Rds (on) mΩ max(10V)：
10.5
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
13.5
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
10

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