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AOL1240	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 40V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOL1240	文件：269.15 Kbytes Page：6 Pages	40V N-Channel MOSFET 文件：269.15 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
F1240	文件：41.81 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime 文件：41.81 Kbytes 页数：2 Pages	POLYFET	POLYFET
LS1240	文件：496.77 Kbytes Page：7 Pages	Electronic two-tone ringer Description LS1240 is a monolithic integrated circuit designed to replace the mechanical bell in telephone sets in connection with an electro-acoustical converter. It can drive directly a piezoceramic converter (buzzer) or a dynamic loudspeaker. The output current capability of LS1240 is higher 文件：496.77 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
LS1240A	文件：496.77 Kbytes Page：7 Pages	Electronic two-tone ringer Description LS1240 is a monolithic integrated circuit designed to replace the mechanical bell in telephone sets in connection with an electro-acoustical converter. It can drive directly a piezoceramic converter (buzzer) or a dynamic loudspeaker. The output current capability of LS1240 is higher 文件：496.77 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
UltraSO-8L
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
40
VGS (±V)：
20
10V：
3
4.5V：
4.40
ID @ 25°C (A)：
69
PD @ 25°C (W)：
125
Qg (4.5V)(nC)：
18
VGS(th) max (V)：
2.30
Ciss (pF)：
3165
Coss (pF)：
920
Crss (pF)：
45.50
Qgd (nC)：
3.50
tD(on) (ns)：
9
tD(off) (ns)：
32
Trr (ns)：
20.50
Qrr (nC)：
56
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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