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F1240	文件：41.81 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime 文件：41.81 Kbytes 页数：2 Pages	POLYFET	POLYFET
F1240	文件：15.95623 Mbytes Page：35 Pages	Dual Channel IF Digital Variable Gain Amplifier 10MHz to 500MHz 文件：15.95623 Mbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
F1240EVBI	文件：15.95623 Mbytes Page：35 Pages	Dual Channel IF Digital Variable Gain Amplifier 10MHz to 500MHz 文件：15.95623 Mbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
F1240EVS	文件：15.95623 Mbytes Page：35 Pages	Dual Channel IF Digital Variable Gain Amplifier 10MHz to 500MHz 文件：15.95623 Mbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
F1240NBGI	文件：15.95623 Mbytes Page：35 Pages	Dual Channel IF Digital Variable Gain Amplifier 10MHz to 500MHz 文件：15.95623 Mbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
F1240NBGI8	文件：15.95623 Mbytes Page：35 Pages	Dual Channel IF Digital Variable Gain Amplifier 10MHz to 500MHz 文件：15.95623 Mbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
F1240EVS	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：RF	RENESAS 瑞萨	RENESAS
F1240NBGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-WFQFN 裸露焊盘；包装：带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP 50MHZ-400MHZ 32VFQFPN	RENESAS 瑞萨	RENESAS
F1240NBGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-WFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：VFQFPN 5.00X5.00X0.80 MM, 0.50MM	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
F1240
制造商：
POLYFET
制造商全称：
Polyfet RF Devices
功能描述：
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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