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AOL1420	文件：127.09 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in CPU core power conversion. Standard Product AOL1420 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificat 文件：127.09 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1420	文件：240.4 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：240.4 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1420	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOL1420L	文件：127.09 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in CPU core power conversion. Standard Product AOL1420 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificat 文件：127.09 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1420_08	文件：240.4 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：240.4 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Recommended Replacement：
AOL1700
Package：
UltraSO-8
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
20
Id(A)(25℃)：
85
Id(A)(75℃)：
63
Pd(W)(25℃)：
100
Pd(W)(75℃)：
50
Rds (on) mΩ max(20V)：
0
Rds (on) mΩ max(10V)：
3.7
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
5.5
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
33

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