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AOL1412	文件：166.76 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1412 uses advanced trench technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side FET in SMPS, load switching and general purpose applications. Standard Product AOL1412 is 文件：166.76 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1412	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
APBP1412	文件：38.5 Kbytes Page：1 Pages	PVC Back Panel 文件：38.5 Kbytes 页数：1 Pages	FIBOX 菲宝斯	FIBOX
ARS1412	文件：375.13 Kbytes Page：12 Pages	3 GHz MICROWAVE RELAYS Miniature size Lineup includes 50/75廓 type FEATURES 1. Super miniature design 14 × 8.6 × 7.2 mm .551 × .339 × .283 inch (standard PC board terminal) 2. Lineup includes silent type. (75Ω type only) Operation noise (Unit: dB) 3. Excellent high frequency characteristics 4. Lineup includes surface-mount terminal type E 文件：375.13 Kbytes 页数：12 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
ASPK1412	文件：46.27 Kbytes Page：1 Pages	Swing Panel Kit incl. Panel 文件：46.27 Kbytes 页数：1 Pages	FIBOX 菲宝斯	FIBOX

详细参数

型号：
AOL1412
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 85A ULTRA SO-8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SRFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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