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AOL1418	文件：130.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1418 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate chargeand low gate resistance. This device is ideally suited for use as a high side switch in CPU core power conversion. Standard Product AOL1418 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificat 文件：130.78 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1418	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOL1418L	文件：130.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1418 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate chargeand low gate resistance. This device is ideally suited for use as a high side switch in CPU core power conversion. Standard Product AOL1418 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificat 文件：130.78 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
BH1418FV	文件：205.19 Kbytes Page：6 Pages	FM stereo transmitter IC for audio systems 文件：205.19 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BH1418KN	文件：292.06 Kbytes Page：6 Pages	FM stereo transmitter IC for audio systems 文件：292.06 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BURNDY_YF1418ID	文件：272.04 Kbytes Page：2 Pages	Elect Cu Single Insul Wire Ferrules, Smooth Funnel Entry, 14 AWG, 0.95 L, Tin Plated, Blue, For use on Cu Cond. 文件：272.04 Kbytes 页数：2 Pages	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL

详细参数

型号：
AOL1418
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 85A ULTRA SO-8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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