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AOL1444	文件：151.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1444 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics. This device is ideally suited for use as a low side switch in CPU core power conversion.Standard Product AOL1444 is Pb-free (meets ROHS & Sony 2 文件：151.43 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1444	文件：214.84 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：214.84 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1444	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOL1444L	文件：151.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1444 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics. This device is ideally suited for use as a low side switch in CPU core power conversion.Standard Product AOL1444 is Pb-free (meets ROHS & Sony 2 文件：151.43 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1444_08	文件：214.84 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：214.84 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Not For New Designs
Recommended Replacement：
AOL1700
Package：
UltraSO-8
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
20
Id(A)(25℃)：
85
Id(A)(75℃)：
73
Pd(W)(25℃)：
100
Pd(W)(75℃)：
50
Rds (on) mΩ max(20V)：
0
Rds (on) mΩ max(10V)：
4.3
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
6.3
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
46.4

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更多AOL1444供应商更新时间2025-10-9 13:36:00

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