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AOK30B60DL	文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages	TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：108.48 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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IRGB30B60K	文件：328.22 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low 文件：328.22 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF

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