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AOL1414	文件：122.97 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOL1414usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOL1414isPb-free(meetsROHS&Sony259specificat	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOL1414	文件：176.31 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOL1414L	文件：122.97 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOL1414usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOL1414isPb-free(meetsROHS&Sony259specificat	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOL1414_10	文件：176.31 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BH1414K	文件：50.14 Kbytes Page：4 Pages	WirelessAudioLinkIC	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BH1414K	文件：275.41 Kbytes Page：20 Pages	WirelessAudioLinkIC	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CM1414	文件：259.64 Kbytes Page：6 Pages	2ChannelHeadsetEMIFilterwithESDProtection ProductDescription TheCM1414isalow-passfilterarraydesignedspecificallytoreduceEMI/RFIemissionsandprovideESDprotectionforaheadsetportonacellularandmobiledevices.TheCM1414integratestwohighquality,pistylefilters(C-R-C)filters,oneforamicrophoneandonefor	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
CM1414	文件：46.9 Kbytes Page：1 Pages	Base	VCC Visual Communications Company	VCC
CNZ1414A	文件：53.55 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedPhotosensor	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
CXA1414	文件：287.68 Kbytes Page：14 Pages	VIDEOSWITCHCOMPATIBLEWITHI2CBUS VideoSwitchCompatiblewithI2CBus	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony

详细参数

型号：
AOL1414
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 85A ULTRA SO-8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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