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AOK53S60	文件：422.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=53A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.07Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOK53S60	文件：219.71 Kbytes Page：6 Pages	null600V 53A 慣 MOS Power Transistor GeneralDescription TheAOK53S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcanbea	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
CCR-53S60-D	文件：631.69 Kbytes Page：9 Pages	LatchingSPDTCoaxialSwitch	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
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详细参数

型号：
AOK53S60
制造商：
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 53A TO247

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