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AOK53S60	文件：219.71 Kbytes Page：6 Pages	null600V 53A 慣 MOS Power Transistor General Description The AOK53S60 has been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability this part can be a 文件：219.71 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK53S60	文件：422.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 53A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.07Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to- 文件：422.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOK53S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 53A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
CCR-53S60-D	文件：631.69 Kbytes Page：9 Pages	Latching SPDT Coaxial Switch 文件：631.69 Kbytes 页数：9 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE
CCR-53S60-M	文件：631.69 Kbytes Page：9 Pages	Latching SPDT Coaxial Switch 文件：631.69 Kbytes 页数：9 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE
CCR-53S60-N	文件：631.69 Kbytes Page：9 Pages	Latching SPDT Coaxial Switch 文件：631.69 Kbytes 页数：9 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE

技术参数

Package：
TO247-3L
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
53
PD @ 25°C (W)：
520
10V：
70
Qg (10V)(nC)：
59
VGS(th) max (V)：
3.80
Ciss (pF)：
3034
Coss (pF)：
222
Crss (pF)：
3
Qgd (nC)：
19
tD(on) (ns)：
48
tD(off) (ns)：
215
Trr (ns)：
664
Qrr (nC)：
14000
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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