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AOL1401	文件：124.75 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AOL1401 is Pb-free (meets ROHS & S 文件：124.75 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1401	文件：150.54 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：150.54 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1401	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：P-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOL1401L	文件：124.75 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AOL1401 is Pb-free (meets ROHS & S 文件：124.75 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOL1401_08	文件：150.54 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：150.54 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Package：
UltraSO-8
Configuration：
Single - P
Vds/V：
-38
Vgs/V：
25
Id(A)(25℃)：
-85
Id(A)(75℃)：
-62
Pd(W)(25℃)：
100
Pd(W)(75℃)：
50
Rds (on) mΩ max(20V)：
8.5
Rds (on) mΩ max(10V)：
10
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
61.2

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更多AOL1401供应商更新时间2025-12-1 16:08:00

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