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AOL1208	文件：248.38 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
APU1208	文件：187.95 Kbytes Page：9 Pages	1AVERYLOWDROPOUTPOSITIVEFIXEDANDADJUSTABLEREGULATORS DESCRIPTION TheAPU1206familyofdevicesareultralowdropout1AregulatorsusingPNPtransistorasthepasselement.Theseproductsareidealwhenasingleinputsupplyisonlyavailableandthedropoutvoltageislessthan1V,exceedingtheminimumdropoutcharacteristicsofNPN/PNPhybrid	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
APU1208	文件：231.88 Kbytes Page：10 Pages	1AVERYLOWDROPOUTPOSITIVEFIXEDANDADJUSTABLEREGULATORS	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
APU1208M	文件：187.95 Kbytes Page：9 Pages	1AVERYLOWDROPOUTPOSITIVEFIXEDANDADJUSTABLEREGULATORS DESCRIPTION TheAPU1206familyofdevicesareultralowdropout1AregulatorsusingPNPtransistorasthepasselement.Theseproductsareidealwhenasingleinputsupplyisonlyavailableandthedropoutvoltageislessthan1V,exceedingtheminimumdropoutcharacteristicsofNPN/PNPhybrid	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
ARS1208	文件：153.9 Kbytes Page：2 Pages	TO-8BCASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
BAR1208D	文件：233.16 Kbytes Page：1 Pages	12AMPPR4DIODECELLS	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
BF1208	文件：167.98 Kbytes Page：22 Pages	DualN-channeldualgateMOSFET Generaldescription TheBF1208isacombinationoftwodualgateMOSFETamplifierswithsharedsourceandgate2leadsandanintegratedswitch.Theintegratedswitchisoperatedbythegate1biasofamplifierB. Thesourceandsubstrateareinterconnected.InternalbiascircuitsenableDCstabil	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF1208	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF1208D	文件：253.38 Kbytes Page：22 Pages	DualN-channeldualgateMOSFET Generaldescription TheBF1208DisacombinationoftwodualgateMOSFETamplifierswithsharedsourceandgate2leadsandanintegratedswitch.Theintegratedswitchisoperatedbythegate1biasofamplifierB. Thesourceandsubstrateareinterconnected.InternalbiascircuitsenableDCstabi	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF1208D	文件：262.25 Kbytes Page：22 Pages	DualN-channeldualgateMOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
AOL1208
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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