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AO5803E	文件：117.19 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO5803E/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSC89-6Lfootprint.Itcanbeusedasloadswitching,andwidevarietyofFETapplications.AO5803EandAO5803ELareelectr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
C5803	文件：90.97 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput(NoDamperDiode) HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput (NoDamperDiode) •HighBreakdownVoltage:BVCBO=1500V •HighSpeedSwitching:tF=0.1µs(Typ.) •WideS.O.A •ForC-Monitor(85KHz)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
DW5803	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FMM5803X	文件：2.16928 Mbytes Page：4 Pages	27.5-31.5GHzPowerAmplifierMMIC	EUDYNA Eudyna Devices Inc	EUDYNA
G5803	文件：76.57 Kbytes Page：1 Pages	1ASingleCellLi-IonBatteryLinearCharger	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
HFBR-5803	文件：254.35 Kbytes Page：16 Pages	FDDI100Mb/sATMandFastEthernetTransceiversinLowCost1x9PackageStyle	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HFBR-5803A	文件：254.35 Kbytes Page：16 Pages	FDDI100Mb/sATMandFastEthernetTransceiversinLowCost1x9PackageStyle	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HFBR-5803AT	文件：254.35 Kbytes Page：16 Pages	FDDI100Mb/sATMandFastEthernetTransceiversinLowCost1x9PackageStyle	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HFBR-5803T	文件：254.35 Kbytes Page：16 Pages	FDDI100Mb/sATMandFastEthernetTransceiversinLowCost1x9PackageStyle	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HM5803	文件：613.87 Kbytes Page：7 Pages	HM5803-BatteryChargerBatteryProtectionSOC	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

详细参数

型号：
AO5803E
功能描述：
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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