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AO5803E	文件：117.19 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO5803E/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge, and operation with gate voltages as low as 1.8V, in the small SC89-6L footprint. It can be used as load switching, and wide variety of FET applications. AO5803E and AO5803EL are electr 文件：117.19 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO5803E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
C5803	文件：90.97 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output(No Damper Diode) High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (No Damper Diode) • High Breakdown Voltage : BVCBO=1500V • High Speed Switching : tF=0.1µs (Typ.) • Wide S.O.A • For C-Monitor(85KHz) 文件：90.97 Kbytes 页数：5 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
DW5803	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS 文件：5.88919 Mbytes 页数：24 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FMM5803X	文件：2.16928 Mbytes Page：4 Pages	27.5-31.5GHz Power Amplifier MMIC 文件：2.16928 Mbytes 页数：4 Pages	EUDYNA	EUDYNA

详细参数

型号：
AO5803E
功能描述：
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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