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AO6415L	文件：112.15 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO6415 is Pb-free (meets ROH 文件：112.15 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
BA6415AFS	文件：819.14 Kbytes Page：16 Pages	Silicon Monolithic Integrated Circuit 文件：819.14 Kbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
C6415	文件：1.92516 Mbytes Page：134 Pages	FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS 文件：1.92516 Mbytes 页数：134 Pages	TI 德州仪器	TI
CPH6415	文件：54.37 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：54.37 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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更多AO6415L供应商更新时间2025-10-5 16:04:00