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AO6414	文件：135.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6414 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It offers operation over a wide gate drive range from 2.5V to 12V. This device is suitable for use as a load switch. Standard product AO6414 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 speci 文件：135.62 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6414	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AO6414L	文件：135.62 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DE**；Package：SOT-26；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6414 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It offers operation over a wide gate drive range from 2.5V to 12V. This device is suitable for use as a load switch. Standard product AO6414 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 speci 文件：135.62 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON6414A	文件：1.16679 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.16679 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AON6414A	文件：273.85 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：273.85 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON6414AL	文件：390.32 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：390.32 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO6414
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 2.3A 6-TSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO6414供应商更新时间2026-1-18 14:14:00

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