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AO6802	文件：116.16 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6802 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6802 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6802L is a Green Product order 文件：116.16 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6802	文件：1.0642 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID =3.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.0642 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6802	文件：501.11 Kbytes Page：7 Pages	丝印：H2UA；Package：SOT23-6；Dual N Channel MOSFET Product Summary * VDS (V)= 30V * RDS(ON) 文件：501.11 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO6802	文件：379.32 Kbytes Page：7 Pages	丝印：H2UAU；Package：SOT23-6；Dual N Channel MOSFET General Description The AO6802 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS (V)= 30V RDS(ON) 文件：379.32 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO6802	文件：205.39 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual N-Channel MOSFET 文件：205.39 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6802	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N MOSFET	JGSEMI 台湾金锆	JGSEMI
AO6802	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dul N-channel MOSFETS	XW 芯微半导体	XW
AO6802	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
AO6802-HF	文件：1.83963 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID =3.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.83963 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6802L	文件：116.16 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6802 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6802 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6802L is a Green Product order 文件：116.16 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
50
4.5V：
70
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
3.50
PD @ 25°C (W)：
1.15
Qg (4.5V)(nC)：
2
Qg (10V)(nC)：
4.05
VGS(th) max (V)：
2.50
Ciss (pF)：
170
Coss (pF)：
35
Crss (pF)：
23
Qgd (nC)：
1
tD(on) (ns)：
4.50
tD(off) (ns)：
18.50
Trr (ns)：
7.50
Qrr (nC)：
2.50
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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