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AO6422	文件：204.09 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6422/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for general purpose application. AO6422 and AO6422L are electrically identical. -RoHS Compliant -AO6422L is Ha 文件：204.09 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6422	文件：1.8276 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID =5 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.8276 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6422	文件：226.05 Kbytes Page：4 Pages	20V N-Channel MOSFET 文件：226.05 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6422	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO6422-HF	文件：1.95983 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID =5 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.95983 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6422L	文件：204.09 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6422/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for general purpose application. AO6422 and AO6422L are electrically identical. -RoHS Compliant -AO6422L is Ha 文件：204.09 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6422_12	文件：226.05 Kbytes Page：4 Pages	20V N-Channel MOSFET 文件：226.05 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Package：
TSOP-6
Configuration：
Single - N
Vds/V：
20
Vgs/V：
8
Id(A)(25℃)：
3.9
Id(A)(75℃)：
3
Pd(W)(25℃)：
1.1
Pd(W)(75℃)：
0.7
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
44
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
55
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
72
Qg (nC)：
6.2

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