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AO6403	文件：114.21 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It may be used in common-drain configuration to form a bidirectional blocking switch. AO6403 is Pb 文件：114.21 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6403	文件：1.814 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-6 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.814 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6403	文件：1.00195 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：1.00195 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO6403	文件：540.04 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：540.04 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6403	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO6403-HF	文件：2.54477 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-6 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.54477 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6403L	文件：114.21 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It may be used in common-drain configuration to form a bidirectional blocking switch. AO6403 is Pb 文件：114.21 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6403_11	文件：540.04 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：540.04 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
35
4.5V：
58
ID @ 25°C (A)：
-6
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
6.70
Qg (10V)(nC)：
13.60
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
760
Coss (pF)：
140
Crss (pF)：
95
Qgd (nC)：
3.20
tD(on) (ns)：
8
tD(off) (ns)：
17
Trr (ns)：
15
Qrr (nC)：
9.70
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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