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2SJ473-01L	文件：341.28 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET Features High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High forward Transconductance Avalanche-proof Applications Applications Switching regulators DC-DC converters General purpose power amplifier 文件：341.28 Kbytes 页数：12 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SJ473-01L	文件：241.72 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：241.72 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SJ473-01L	文件：989.58 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：989.58 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ473-01L.	文件：976.36 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET 文件：976.36 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ473-01L_06	文件：241.72 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：241.72 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SJ473-01L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET High speed switching\nLow on-resistance\nNo secondary breakdown\nLow driving power\nHigh forward Transconductance\nAvalanche-proof\nApplications\nApplications\nSwitching regulators\nDC-DC converters\nGeneral purpose power amplifier;	FUJI 富士通	FUJI

更多2SJ473-01L供应商更新时间2025-10-4 16:36:00