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2SJ506	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices. 文件：50.81 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ506	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ506	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A)\n• Low drive current\n• High speed switching\n• 4V gate drive devices.;	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ506L	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices. 文件：50.81 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ506L	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ506L-E	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ506S	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices. 文件：50.81 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ506S	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ506S	文件：52.09 Kbytes Page：2 Pages	Hight Speed Power Switching Features Low on-resistance RDS(on)= 0.065 typ. (at VGS= -10V, ID=-5A) Low drive current High speed switching 4V gate drive devices. 文件：52.09 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ506STL-E	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-30
ID (A)：
-10
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
180
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
85
Ciss (pF) 典型值：
630
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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