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2SJ506	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelMOSFET Lowon-resistance RDS(on)=0.065Ωtyp.(atV GS=–10V,ID=–5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ506L-E	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelMOSFET Lowon-resistance RDS(on)=0.065Ωtyp.(atV GS=–10V,ID=–5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ506S	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelMOSFET Lowon-resistance RDS(on)=0.065Ωtyp.(atV GS=–10V,ID=–5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ506S	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.065Ωtyp.(atVGS=–10V,ID=–5A) •Lowdrivecurrent •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevices.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ506S	文件：52.09 Kbytes Page：2 Pages	HightSpeedPowerSwitching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.065typ.(atVGS=-10V,ID=-5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ506S	文件：1.27354 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
2SJ506STR-E
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Cut Tape
制造商：
Renesas
功能描述：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SJ506STR-E	Renesas(瑞萨)	24+	标准封装	7948	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多2SJ506STR-E供应商更新时间2025-5-23 10:01:00

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