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|---|---|---|---|---|
2SJ479S | Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 25 mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：38.52 Kbytes 页数：7 Pages | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | Hitachi | |
2SJ479S | Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 25 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：91.77 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 25 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：91.77 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
2SJ479S | Power MOSFETs | Renesas 瑞萨 | Renesas |
技术参数
- 封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
- Nch/Pch：
Pch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
-30
- ID (A)：
-30
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
60
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
35
- Ciss (pF) 典型值：
1700
- Vgs (off) (V) 最大值：
-2
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
50
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Surface Mount
- 订购条件：
Large order only
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOD323 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
TO-263 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
HITACHI |
24+ |
TO-263 |
36800 |
询价 | |||
HITACHI |
25+ |
SOT-263 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-263 |
9000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
HITACHI |
2023+环保现货 |
TO-263 |
18000 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-263 |
4000 |
正品原装货价格低 |
询价 |
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