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2SJ49	文件：192.12 Kbytes Page：3 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER SILICONP-CHANNELMOSFET LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER ComplementaryPairwith2SK133,2SK134,2SK135	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ492	文件：72.05 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdrivercircuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩ(MAX.)(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=185mΩ(MAX.)(VGS=–4V,ID=–10A) •LowCiss:Ciss=121	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ492	文件：50.84 Kbytes Page：2 Pages	MOS Field Effect Transistor Features Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩ(MAX.)(VGS=-10V,ID=-10A) RDS(on)2=185mΩ(MAX.)(VGS=-4V,ID=-10A) LowCiss:Ciss=1210pF(TYP.) Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ492	文件：302.59 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdriver circuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−10A) RDS(on)2=185mΩMAX.(VGS=−4V,ID=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ492-S	文件：72.05 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdrivercircuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩ(MAX.)(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=185mΩ(MAX.)(VGS=–4V,ID=–10A) •LowCiss:Ciss=121	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ492-S	文件：302.59 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdriver circuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−10A) RDS(on)2=185mΩMAX.(VGS=−4V,ID=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ492-ZJ	文件：72.05 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdrivercircuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩ(MAX.)(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=185mΩ(MAX.)(VGS=–4V,ID=–10A) •LowCiss:Ciss=121	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ492-ZJ	文件：302.59 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdriver circuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−10A) RDS(on)2=185mΩMAX.(VGS=−4V,ID=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ493	文件：66.6 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩ(MAX.)(VGS=–10V,ID=–8A) RDS(on)2=185mΩ(MAX.)(VGS=–4V,ID=–8A) •LowCiss:Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ493	文件：232.08 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·Superlowon-stateresistance RDS(on)1=100mW(MAX.)(VGS=–10V,ID=–8A) RDS(on)2=185mW(MAX.)(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ49
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市昊创电子有限公司	2SJ49	HITACHI	专业铁帽	TO-3	1	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
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更多2SJ49供应商更新时间2025-5-25 14:30:00

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