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2SJ492-ZJ	文件：302.59 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdriver circuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−10A) RDS(on)2=185mΩMAX.(VGS=−4V,ID=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ492-ZJ	文件：72.05 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdrivercircuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩ(MAX.)(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=185mΩ(MAX.)(VGS=–4V,ID=–10A) •LowCiss:Ciss=121	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ492-ZJ	文件：1.65309 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ492	文件：302.59 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdriver circuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−10A) RDS(on)2=185mΩMAX.(VGS=−4V,ID=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ492	文件：50.84 Kbytes Page：2 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩ(MAX.)(VGS=-10V,ID=-10A) RDS(on)2=185mΩ(MAX.)(VGS=-4V,ID=-10A) LowCiss:Ciss=1210pF(TYP.) Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ492	文件：72.05 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdrivercircuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩ(MAX.)(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=185mΩ(MAX.)(VGS=–4V,ID=–10A) •LowCiss:Ciss=121	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ492-S	文件：302.59 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdriver circuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−10A) RDS(on)2=185mΩMAX.(VGS=−4V,ID=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ492-S	文件：72.05 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandmotor/lampdrivercircuits. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=100mΩ(MAX.)(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=185mΩ(MAX.)(VGS=–4V,ID=–10A) •LowCiss:Ciss=121	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
2SJ492-ZJ
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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