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2SJ479L	文件：38.52 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 25 mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：38.52 Kbytes 页数：7 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ479L	文件：91.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 25 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：91.77 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ479L-E	文件：91.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 25 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：91.77 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ479L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-30
ID (A)：
-30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
60
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
35
Ciss (pF) 典型值：
1700
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
50
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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