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2N5401-TA	文件：1.7546 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2N5401Z；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features Switching and Amplification in High Voltage Applications such as Telephony Low Current High Voltage 文件：1.7546 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N5401U	文件：254.16 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：254.16 Kbytes 页数：3 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
G2N5401	文件：147.64 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR 文件：147.64 Kbytes 页数：3 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
G2N5401	文件：149.36 Kbytes Page：3 Pages	The G2N5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. 文件：149.36 Kbytes 页数：3 Pages	ETL 亚历电子	ETL

详细参数

型号：
2N5401-T
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 0.6A 150V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2N5401-T供应商更新时间2026-1-22 15:01:00

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