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G2N5401	文件：147.64 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR 文件：147.64 Kbytes 页数：3 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
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H2N5401	文件：38.23 Kbytes Page：4 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features • Complements to NPN Type H2N5551 • High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO=150V (@IC=1mA)) 文件：38.23 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC
L2N5401	文件：99.22 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon 文件：99.22 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
ST2N5401	文件：201.24 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors 文件：201.24 Kbytes 页数：3 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC

更多G2N5401供应商更新时间2026-10-21 18:07:00