选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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ONN/A |
86968 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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ST(先科)TO-92 |
10000 |
22+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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ONTO-92 |
7102 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
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ONTO-92 |
29924 |
23+/24+ |
主营ON原装正品.终端BOM表可配单 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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KECSOT-23 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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ONN/A |
86968 |
22+ |
只做原装,支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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KECSOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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KECSOT-23 |
98000 |
2126 |
全新原装公司现货 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-92-3L |
5621 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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KECSOT23 |
7906200 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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KECSOT-23 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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UTC/友顺TO92 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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100 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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CJ/长电TO92 |
3430 |
42 |
原装现货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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KECSOT-23 |
38000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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KECSOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-92 |
10053 |
2105+ |
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深圳市共奕科技有限公司1年
留言
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Gonico/共奕SOT-89 |
50000 |
1年内 |
原装现货共奕芯城清货特价 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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KECSOT-23 |
736170 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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2N5558价格:¥0.0000品牌:Semiconductors
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2N5551S-RTK/P中文资料Alldatasheet PDF
更多2N555功能描述:MIL-SPEC S6J1B
2N5550功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5550 (D023)制造商:Freescale Semiconductor
2N5550/D26Z制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
2N5550_00制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor
2N5550_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon
2N5550_98制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
2N5550_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5550_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5550_D28Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Ge-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
30V
- 最大电流允许值:
3A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
AD149,AD150,AD166,AUY19,AUY20,2N2137,2N2138,2N2139,2N2140,2N2141,2N2142,2N2143,2N2144,2N2145,2N2146,3AD56A,
- 最大耗散功率:
40W
- 放大倍数:
- 图片代号:
E-44
- vtest:
30
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
40