| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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ONSEMIN/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TO-92-3 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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6年
留言
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ON/安森美23+ |
6000 |
SMD |
专业配单原装正品假一罚十 |
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17年
留言
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MOTTO-92 |
10000 |
24+ |
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5年
留言
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ONTO-92 |
138 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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18年
留言
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2N5550110 |
110 |
25+ |
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6年
留言
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CENTRAL-中环TO-92-3 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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15年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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15年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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18年
留言
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FAIRCHILDTO92 |
36227 |
99+ |
全新 发货1-2天 |
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1年
留言
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CJ/长电TO-92 |
50000 |
25+ |
原装正品 |
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10年
留言
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CJ/长电原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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7年
留言
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ONSEMIN/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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ONSEMIN/A |
20948 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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10年
留言
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CJ/长电原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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14年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3 |
5000 |
专业铁帽 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
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8年
留言
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ONTO-92 |
6000 |
24+ |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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3年
留言
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ONTO-92 |
20000 |
22+ |
公司只有原装 品质保证 |
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11年
留言
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mot |
500000 |
25+ |
行业低价,代理渠道 |
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6年
留言
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SAMSUNG/三星NA |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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2N5550图片
2N5550TA价格
2N5550TA价格:¥0.1383品牌:Fairchild Semiconductor
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2N5550资讯
2N5550
2N5550
2N5550中文资料Alldatasheet PDF
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2N5550_00制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor
2N5550_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon
2N5550_98制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
2N5550_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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2N5550_J24Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5550BU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
2N5550
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
300MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 140V 0.6A TO92
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
视频输出 (Vid)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
160V
- 最大电流允许值:
0.6A
- 最大工作频率:
>100MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,MPS-A42,MPS-A43,2N3440,3DG84G,
- 最大耗散功率:
0.625W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-31
- vtest:
160
- htest:
100000100
- atest:
0.6
- wtest:
0.625































