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深圳市高捷芯城科技有限公司

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2N5550

ONSEMIN/A

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-92-3

18798

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深圳市芯皇电子有限公司

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ON/安森美23+

6000

SMD

专业配单原装正品假一罚十

深圳市一线半导体有限公司

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MOTTO-92

10000

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深圳市赛特兴科技有限公司

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ONTO-92

138

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2N5550110

110

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CENTRAL-中环TO-92-3

36218

24+25+/26+27+

1
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

中天科工半导体(深圳)有限公司

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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3

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专业铁帽

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3

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专业铁帽

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上海金庆电子技术有限公司

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FAIRCHILDTO92

36227

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全新 发货1-2天

深圳雄芯伟创科技有限公司

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CJ/长电TO-92

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原装正品

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CJ/长电原厂原封装

86720

26+

全新原装正品价格最实惠 假一赔百

深圳市得捷芯城科技有限公司

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ONSEMIN/A

21000

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ONSEMIN/A

20948

25+

样件支持,可原厂排单订货!

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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CJ/长电原厂原封装

86720

26+

全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔

深圳市昊创电子有限公司

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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3

5000

专业铁帽

原装铁帽专营,代理渠道量大可订货

千层芯半导体(深圳)有限公司

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ONTO-92

6000

24+

进口原装正品假一赔十,货期7-10天

深圳市创新迹电子有限公司

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ONTO-92

20000

22+

公司只有原装 品质保证

深圳市蓝山航业科技有限公司

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mot

500000

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行业低价,代理渠道

深圳市明嘉莱科技有限公司

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SAMSUNG/三星NA

880000

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明嘉莱只做原装正品现货

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2N5550TA价格

2N5550TA价格:¥0.1383品牌:Fairchild Semiconductor

生产厂家品牌为Fairchild Semiconductor的2N5550TA多少钱,想知道2N5550TA价格是多少?参考价:¥0.1383。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,2N5550TA批发价格及采购报价,2N5550TA销售排行榜及行情走势,2N5550TA报价。

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2N5550功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5550_00制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor

2N5550_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon

2N5550_98制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE

2N5550_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5550_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5550_D28Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5550_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5550_J24Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5550BU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号:

    2N5550

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 140V 0.6A TO92

晶体管资料

  • 型号:

    2N5550

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    视频输出 (Vid)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    160V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    >100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,MPS-A42,MPS-A43,2N3440,3DG84G,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    160

  • htest:

    100000100

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.625