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UPA2720GR	文件：309.52 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2720GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2720GR-E1	文件：309.52 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2720GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2720GR-E1-A	文件：309.52 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2720GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2720GR-E2	文件：309.52 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2720GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2720GR-E2-A	文件：309.52 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2720GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2720	文件：72.28 Kbytes Page：1 Pages	KNOB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
2720-Q	文件：72.28 Kbytes Page：1 Pages	KNOB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AB2720B	文件：49.5 Kbytes Page：1 Pages	PIEZOCERAMICBENDER	PUIProjects Unlimited, Inc. Projects Unlimited, Inc.	PUI
AB2720B	文件：522.48 Kbytes Page：3 Pages	27mmPiezoelectricBender	PUIAUDIO PUI audio inc.	PUIAUDIO
AN2720S	文件：243.19 Kbytes Page：16 Pages	Single-ChipUSB-to-USBNetworkingSolution	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
AN2720SC	文件：243.19 Kbytes Page：16 Pages	Single-ChipUSB-to-USBNetworkingSolution	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
AT-2720-TT-R	文件：139.44 Kbytes Page：1 Pages	PCMount	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AT-2720-TT-R	文件：196.35 Kbytes Page：1 Pages	ALLDIMENSIONSAREINMILLIMETERS	PUIAUDIO PUI audio inc.	PUIAUDIO
BU2720AF	文件：75.37 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION Highvoltage,high-speedswitchingnpntransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolourtelevisionreceivers.DesignedtowithstandVCESpulsesupto1700V.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BU2720AF	文件：101.89 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=825V(Min) •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolor TVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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BU2720AX	文件：146.26 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Highvoltage ·Highspeedswitching APPLICATIONS ·Foruseinhorizontaldeflectioncircuitsofhighresolutionmonitors.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BU2720AX	文件：105.3 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage:VCEO(SUS)=825V(Min) ·HighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolor TVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU2720AX	文件：75.47 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION Highvoltage,high-speedswitchingnpntransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolourtelevisionreceivers.DesignedtowithstandVCESpulsesupto1700V.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BU2720DF	文件：77.59 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION Highvoltage,high-speedswitchingnpntransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolourtelevisionreceivers.DesignedtowithstandVCESpulsesupto1700V.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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更多UPA2720GR供应商更新时间2024-6-11 14:44:00

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