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UPA2726UT1A-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2726UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=11.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=10A) •Lowinputcapacitance Ciss=1720pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA2726UT1A-E1-AZ

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2726UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=11.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=10A) •Lowinputcapacitance Ciss=1720pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

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更多UPA2726UT1A-E1-AY供应商 更新时间2024-6-19 11:12:00