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UPA2720GR-E2

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2720GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA2720GR-E2-A

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2720GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID

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更多UPA2720GR-E2供应商 更新时间2024-6-22 17:08:00