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UPA2723UT1A	文件：349.97 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2723UT1AisN-channelMOSFETdesignedforlowsidedevice ofsynchronousrectifierDC/DCconverter. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=2.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=3.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=17A) •Thintypesurfacemountpackagewithhe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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