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UPA2723UT1A-E1-AZ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2723UT1AisN-channelMOSFETdesignedforlowsidedevice ofsynchronousrectifierDC/DCconverter. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=2.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=3.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=17A) •Thintypesurfacemountpackagewithhe

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA2723UT1A-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2723UT1AisN-channelMOSFETdesignedforlowsidedevice ofsynchronousrectifierDC/DCconverter. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=2.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=3.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=17A) •Thintypesurfacemountpackagewithhe

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