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UPA2734GR-E1-AT	文件：356.14 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2734GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=38mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−7.0A) RDS(on)2=72mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=−3.5A) •Lowinputcapacitance	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2734GR-E1	文件：77.01 Kbytes Page：5 Pages	SILICONMMICL-BANDDOWNCONVERTER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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更多UPA2734GR-E1-AT供应商更新时间2025-7-30 16:05:00