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UPA2722UT1A	文件：354.81 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2722UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=4.6mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) •Thintypesurfacemountpackagewithheatspreader(8-pinHVSON) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2722UT1A	文件：1.11173 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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UPA2722UT1A

文件：354.81 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2722UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=4.6mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) •Thintypesurfacemountpackagewithheatspreader(8-pinHVSON) •

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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UPA2722UT1A

文件：1.11173 Mbytes

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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

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