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UPA2734GR-E2-AT	文件：356.14 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2734GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=38mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−7.0A) RDS(on)2=72mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=−3.5A) •Lowinputcapacitance	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2734GR-E2-AT

文件：356.14 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2734GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=38mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−7.0A) RDS(on)2=72mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=−3.5A) •Lowinputcapacitance

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更多UPA2734GR-E2-AT供应商更新时间2024-5-2 8:14:00

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