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UPA2757GR-E1-AT	文件：180.28 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS 文件：180.28 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA2757GR-E1-AT	文件：371.36 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS = 10 V) 文件：371.36 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
UPA2757GR-E1-AT
功能描述：
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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