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UPA2757GR-E1-AT中文资料PDF规格书
UPA2757GR-E1-AT规格书详情
DESCRIPTION
The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect
Transistors designed for switching application.
FEATURES
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A)
RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A)
• Low gate charge
QG = 10 nC TYP. (VGS = 10 V)
• Built-in G-S protection diode
• Small and surface mount package (Power SOP8)
产品属性
- 型号:
UPA2757GR-E1-AT
- 功能描述:
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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2016+ |
SOP8 |
9000 |
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2016+ |
SOP8 |
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