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UPA2810T1L-E2-AY	文件：359.49 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2810 is P-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications of portable equipments. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 12 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −13 A) RDS(on)2 = 23 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −6.5 A) • Built-in gate protection 文件：359.49 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多UPA2810T1L-E2-AY供应商更新时间2026-2-9 19:57:00