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UPA810T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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CEL

UPA810T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:486.37 Kbytes 页数:2 Pages

CEL

UPA810T-T1-A

Package:6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

CEL

CEL

UPA810T-T1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:486.37 Kbytes 页数:2 Pages

CEL

UPA810T-T1

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

The µPA810T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE= 3 V, IC= 7 mA • High Gain |S21e|2= 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE= 3 V, IC= 7 mA • A Small Mini Mold Package A

文件:223.98 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

UPA810T-T1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:207.42 Kbytes 页数:3 Pages

CEL

产品属性

  • 产品编号:

    UPA810T-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS
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更多UPA810T-T1-A供应商 更新时间2025-10-7 10:16:00